惠峰，1963年出生。1984年8月畢業(yè)于西安交通大學(xué)電子工程系。中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員。中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所學(xué)術(shù)委員會委員。SEMI中國標(biāo)準委會材料分會委員。中國電子材料行業(yè)協(xié)會委員。
自大學(xué)畢業(yè)一直從事研制電路需要的高質(zhì)量砷化鎵、磷化銦及鍺單晶工作。做為重大項目負責(zé)人，帶領(lǐng)課題組先后完成了國家“七.五”、“八.五”、“九.五”重點科技攻關(guān)、“十.五”國家八六三計劃重大項目，北京市重大科技項目等10多項科研和產(chǎn)業(yè)化任務(wù)。解決了晶體生長中熱場設(shè)計、提高單晶率；優(yōu)化晶體生長和晶片加工工藝條件及批量生長的重復(fù)性等一系列關(guān)鍵工藝技術(shù)，多次獲得中科院科技進步二、三等獎；實用化生產(chǎn)高質(zhì)量的砷化鎵、磷化銦及鍺單晶，達到當(dāng)代同類商品先進水平。
1990年5月“IC用SI-GaAs熱穩(wěn)定性和均勻性的研究”獲中國科學(xué)院科技進步三等獎。1993年12月獲中國科學(xué)院優(yōu)秀青年。1996年5月，“Φ2″、Φ3″非摻砷化鎵單晶(片)的研究”獲中國科學(xué)院科技進步二等獎。1997年5月，“砷化鎵材料、器件與電路”獲中國科學(xué)院科技進步二等獎。2000年獲得國務(wù)院頒發(fā)的政府特殊津貼。
惠峰專家工作站，建在云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司。惠峰研究員多年主持開展了多項國家重大項目并建成擁有自主知識產(chǎn)權(quán)、具有先進水平的砷化鎵單晶產(chǎn)業(yè)化平臺，掌握了半導(dǎo)體單晶產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)。主持高效率太陽能電池用鍺單晶及晶片研究，掌握了多項核心技術(shù)，研制出3英寸、4英寸低位錯密度太陽能電池用鍺單晶。建站后將開展“高效率太陽電池用鍺單晶及晶片”項目，對于我國航空航天工業(yè)、電子產(chǎn)業(yè)等具有重要意義。
惠峰專家工作站突破了高效率太陽能電池用鍺單晶及開盒即用鍺晶片生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，掌握了單晶爐設(shè)計制造及單晶生長工藝、開盒即用鍺晶片切磨拋關(guān)鍵工藝等核心技術(shù)，建成了年產(chǎn)30萬片開盒即用鍺晶片加工生產(chǎn)線，達到國際先進水平。解決了晶體生長中熱場設(shè)計、提高單晶率、優(yōu)化晶體生長和晶片加工工藝條件及批量生長的重復(fù)性等一系列關(guān)鍵工藝技術(shù)，實用化生產(chǎn)高質(zhì)量的太陽能鍺單晶。
